മില്ലിമീറ്റർ-വേവ് ഫിൽട്ടറുകൾ എങ്ങനെ രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുകയും അവരുടെ അളവുകളും സഹിഷ്ണുതകളും നിയന്ത്രിക്കുകയും ചെയ്യും

മുഖ്യധാരാ 5 ജി വയർലെസ് കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ പ്രാപ്തമാക്കുന്നതിനുള്ള നിർണായക ഘടകമാണ് മില്ലിമീറ്റർ-വേവ് ടെക്നോളജി, എന്നിട്ടും ശാരീരിക അളവുകൾ, ഉൽപാദന സഹിഷ്ണുതകൾ, താപനില സ്ഥിരത എന്നിവയുടെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ ഇത് നേരിടുന്നു.

മുഖ്യധാരാ 5 ജി വയർലെസ് കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ, ഭാവിയിലെ 20 ജിഗാഹെർട്സിന് മുകളിലുള്ള ആവൃത്തികൾ ബാൻഡ്വിഡ്ത്ത് ശേഷി വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും ആത്യന്തികമായി ട്രാൻസ്മിഷൻ നിരക്കുകൾ വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിനും ഭാവിയിലെ ശ്രദ്ധ മാക്കും.

ഉയർന്ന ആവൃത്തികളും സുപ്രധാന പാത്ത് നഷ്ടവും കാരണം, എംഎംവേവ് സിഗ്നലുകൾക്ക് ചെറിയ ആന്റിനകൾ ആവശ്യമായിത്തീർന്നതായി നന്നായി അറിയാം. ഈ ആന്റിനെറ്റ്സ് ഒരുമിച്ച് ചേർത്ത് ഇടുങ്ങിയ-ബീം രൂപപ്പെടുന്നതിന്, ഉയർന്ന നേട്ടമുള്ള അറേ ആന്റിനകൾ.

ഫിൽട്ടർ രൂപകൽപ്പനയിലെ പ്രാഥമിക ബുദ്ധിമുട്ടുകൾ ആന്റിനയുടെ അളവുകളുമായി, പ്രത്യേകിച്ച് ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ഫിൽട്ടറുകൾക്ക് വേണ്ടി സ്ഥിതിചെയ്യുന്നു. കൂടാതെ, ഉൽപാദന സഹിഷ്ണുതയും ഫിൽട്ടറുകളുടെ താപനില സ്ഥിരതയും ഉൽപ്പന്ന രൂപകൽപ്പനയുടെയും ഉൽപാദനത്തിന്റെയും എല്ലാ വശങ്ങളെയും കാര്യമായി ബാധിക്കുന്നു.

എംഎംവീവ് സാങ്കേതികവിദ്യയിലെ വലുപ്പം പരിമിതികൾ

പരമ്പരാഗത ആന്റിന അറേ സിസ്റ്റങ്ങളിൽ, ഘടകങ്ങൾ തമ്മിലുള്ള ദൂരം ഇടപെടൽ ഒഴിവാക്കാൻ (λ / 2) പകുതിയിൽ കുറവായിരിക്കണം. ഈ തത്ത്വം 5 ജി അലിമ്മനൈവിംഗ് ആന്റിനകൾക്ക് ഒരുപോലെ ബാധകമാണ്. ഉദാഹരണത്തിന്, 28 ജിഗാഹെർട്ടിൽ ഒരു ആന്റിനയ്ക്ക് ഏകദേശം 5 മില്ലീമീറ്റർ മൂലകമാണ്. സമ്മർദ്ദം, അറേയിലെ ഘടകങ്ങൾ വളരെ ചെറുതായിരിക്കണം.

എംഎംവേവ് അപ്ലിക്കേഷനിൽ ജോലി ചെയ്യുന്ന ഘട്ടംഘട്ടങ്ങൾ പലപ്പോഴും ഒരു പ്ലാനർ സ്ട്രക്ചർ ഡിസൈൻ സ്വീകരിക്കുന്നു, അവിടെ ആന്റിന്റാസ് (മഞ്ഞ പ്രദേശങ്ങൾ) അച്ചടിച്ച സർക്യൂട്ട് ബോർഡുകളിൽ (പച്ച പ്രദേശങ്ങൾ) (പച്ച പ്രദേശങ്ങൾ) (പച്ച പ്രദേശങ്ങൾ)

ഈ സർക്യൂട്ട് ബോർഡുകളുടെ ഇടം ഇതിനകം കുറഞ്ഞത് വളരെ കുറവാണ്, പക്ഷേ വളർന്നുവരുന്ന സാങ്കേതികവിദ്യകൾ പര്യവേക്ഷണം ചെയ്യുന്നതിനാൽ, ഫിൽട്ടറുകളും മറ്റ് സർക്യൂട്ട് ബ്ലോക്കുകളും ആന്റിന പിസിബിയുടെ പുറകിൽ നേരിട്ട് മ mounted ണ്ട് ചെയ്യേണ്ടതുണ്ട്.